imecは23日(ベルギー時間)、2023 IEEE国際相互接続技術会議(2023 IEEE IITC)において、300mmのシリコンウェハ上の導線膜の抵抗率を、現在の相互接続メタライズスキームに用いられている銅(Ru)やルテニウム(Ru)より低くできることを実験的に証明したと発表した。これにより、線幅10nm以下の低抵抗配線を実現できるという。
imecは23日(ベルギー時間)、2023 IEEE国際相互接続技術会議(2023 IEEE IITC)において、300mmのシリコンウェハ上の導線膜の抵抗率を、現在の相互接続メタライズスキームに用いられている銅(Ru)やルテニウム(Ru)より低くできることを実験的に証明したと発表した。これにより、線幅10nm以下の低抵抗配線を実現できるという。