米Micronは5月22日(現地時間)、米国バージニア州マナサスのDRAM製造拠点において、最先端の1αノードを採用したDDR4メモリの生産を開始したと発表した。これにより、マナサスにおけるDDR4ウェハ供給量が4倍となり、2026年末までには認定済み品の生産が行なわれる見込み。
米Micronは5月22日(現地時間)、米国バージニア州マナサスのDRAM製造拠点において、最先端の1αノードを採用したDDR4メモリの生産を開始したと発表した。これにより、マナサスにおけるDDR4ウェハ供給量が4倍となり、2026年末までには認定済み品の生産が行なわれる見込み。