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　中国・復旦大学の研究チームは、グラフェンなどの2次元(2D)材料を活用し、世界最速の不揮発性メモリ技術「PoX(破暁)」を開発した。書き込み速度は400ps(ピコ秒)と、従来のNANDフラッシュメモリと比べて100倍以上高速で、550万回以上の書き換えに耐える高い耐久性も実現した。